台积电全球布局：美国投资加速，日德计划稳步推进

IT之家于7月6日带来最新消息，据《华尔街日报》引述知情人士的透露，台积电正调整其全球投资策略，选择放缓在日本芯片制造设施的投资步伐，转而加速推进美国亚利桑那州Fab 21工厂的建设。这一决策背后，可能蕴含着对美国政府潜在对中国台湾地区芯片征收关税风险的考量。然而，台积电在回应Tom's Hardware的询问时，明确表示其在亚利桑那州的重大投资计划，并不会干扰其在日本和德国既定的芯片制造工厂规划。

台积电发言人强调：“台积电始终秉持不对市场传闻置评的原则。我们的全球制造扩张战略，是建立在客户需求、商业机遇、运营效率、政府支持力度以及成本经济效益等多重因素之上的。因此，我们在美国的投资计划，绝不会影响到我们在其他地区的现有投资计划。”此前，市场上曾流传台积电将放缓日本熊本Fab 23二期（JASM二期）和德国德累斯顿Fab 24一期（ESMC一期）的投资，以便优先将资金注入亚利桑那州Fab 21工厂，并加速其二期设备的安装进度。但本周早些时候的消息指出，台积电计划在2027年提前数个季度启用具备N3工艺能力的Fab 21二期，而德国和日本的项目则有所推迟。尽管计划可能随时调整，但这些变化并不总是相互关联，特别是考虑到各项目处于不同阶段，以及台积电庞大的资本支出预算（320亿至420亿美元）和大规模的产能扩张计划。

关于台积电美国工厂的最新进展，今年早些时候，台积电已确认将加快亚利桑那州Fab 21二期的量产启动时间，以满足客户需求。原定于2028年的量产启动日期，现在预计可能提前至2027年。目前，Fab 21工厂已达成“封顶里程碑”，正在紧锣密鼓地安装各种机械、电气、管道、空气过滤、空调及其他系统。接下来，该项目的重点将是安装实际的半导体生产设备，这是每个工厂项目中资本最为密集的阶段。台积电首席执行官兼董事长魏哲家在2025年第一季度财报电话会议中表示：“我们的第二个工厂建设已经完成，将采用3纳米工艺技术，我们正在加快量产进度，以满足客户对人工智能相关需求的强烈增长。”此外，台积电还计划在2025年晚些时候开始建设Fab 21三期和四期的厂房，并计划在本十年后半叶投产。

至于台积电日本工厂的进展，据IT之家了解，其位于日本的第一个工厂——Fab 23一期已于2024年12月底开始大规模生产芯片。原计划今年早些时候开始建设的Fab 23二期，由于当地基础设施不足而推迟。魏哲家在与分析师和投资者的电话会议中表示：“我们第二个专业工厂的建设预计将于今年晚些时候开始，具体取决于当地基础设施的准备情况。”《华尔街日报》的报道将当地交通问题列为推迟的原因，但日本政府代表表示未收到台积电直接以当地交通为由的沟通，并对该理由表示怀疑。尽管如此，政府仍相信该工厂的生产时间表和产量目标将基本保持不变。

同样的情况也适用于台积电在德国的项目——与博世、英飞凌和恩智浦合作的Fab 24项目，预计将于2027年底投产。该公司于2024年8月正式开始为该工厂准备土地。尽管目前尚未正式开始建造厂房，但建造工厂建筑的成本低于设备安装成本，因此台积电不太可能因在美国的大规模投资项目而推迟Fab 24的建设。魏哲家在电话会议中再次强调：“我们在德国德累斯顿建设专业技术晶圆厂的计划正在按部就班地推进。我再次重申，我们不会放慢在日本或德国的计划。”

台积电强调，其工厂的上线时间是基于客户需求的，美国项目的扩张不会影响其在其他国家的计划。这一全